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SDY-5型雙電(dian)測(ce)四(si)探針測(ce)試儀采用了四(si)探針雙位組(zu)合測(ce)量技術(shu),利(li)用電(dian)流(liu)探針、電(dian)壓(ya)探針的(de)變換，進行兩次電(dian)測(ce)量，能自動消除樣品幾(ji)何尺寸(cun)、邊(bian)界(jie)效(xiao)應(ying)以(yi)及(ji)探針不等距(ju)和機械(xie)游移等因(yin)素對測(ce)量結果的(de)影響，從(cong)而提高了測(ce)量結果的(de)準確度(du)

RTS-5型雙電(dian)測(ce)四(si)探針(zhen)(zhen)測(ce)試儀(yi)采(cai)用(yong)了四(si)探針(zhen)(zhen)雙電(dian)測(ce)組合(he)(亦稱雙位組合(he))測(ce)量(liang)新技術(shu),將范德堡測(ce)量(liang)方法推廣(guang)應用(yong)到(dao)直線四(si)探針(zhen)(zhen)上,利用(yong)電(dian)流探針(zhen)(zhen)、電(dian)壓探針(zhen)(zhen)的(de)變換，在計算機(ji)控制下進行(xing)兩次電(dian)測(ce)量(liang)，能自動(dong)消(xiao)除樣品幾(ji)何尺寸、邊界效應以及探針(zhen)(zhen)不等(deng)距和機(ji)械游(you)移(yi)等(deng)因素(su)對測(ce)量(liang)結果的(de)影響。

RTS-9型雙電(dian)(dian)測(ce)(ce)四(si)探針(zhen)測(ce)(ce)試儀采用了(le)四(si)探針(zhen)雙電(dian)(dian)測(ce)(ce)組合(亦稱雙位組合)測(ce)(ce)量(liang)新技術(shu),將(jiang)范(fan)德堡測(ce)(ce)量(liang)方(fang)法(fa)推(tui)廣應用到直(zhi)線四(si)探針(zhen)上(shang),利用電(dian)(dian)流(liu)探針(zhen)、電(dian)(dian)壓(ya)探針(zhen)的(de)變換，在計算機控制下進行兩次電(dian)(dian)測(ce)(ce)量(liang)，能自動(dong)消除(chu)樣品幾(ji)何尺寸、邊(bian)界效應以及探針(zhen)不等距和(he)機械游移(yi)等因(yin)素對(dui)測(ce)(ce)量(liang)結(jie)果的(de)影響。

RTS-3型(xing)手持式四(si)探針(zhen)測試(shi)儀(yi)(yi)是(shi)運用四(si)探針(zhen)測量(liang)原理(li)的(de)(de)多(duo)用途綜(zong)合測量(liang)設備(bei)。該(gai)儀(yi)(yi)器按照單晶硅(gui)物理(li)測試(shi)方(fang)法(fa)國(guo)家標準(zhun)并參考美國(guo) A.S.T.M 標準(zhun)而設計(ji)的(de)(de)，于測量(liang)硅(gui)晶塊、晶片電阻(zu)率及擴散層(ceng)、外延層(ceng)、ITO導電箔(bo)膜、導電橡膠等材(cai)料方(fang)塊電阻(zu)的(de)(de)小型(xing)儀(yi)(yi)器。

RTS-2/RTS-2A型(xing)便攜式四探(tan)針測(ce)試儀是運(yun)用四探(tan)針測(ce)量原(yuan)理的(de)多用途(tu)綜合測(ce)量設(she)備。該儀器(qi)按照單晶硅物理測(ce)試方法國(guo)(guo)家標準并參考美(mei)國(guo)(guo) A.S.T.M 標準而設(she)計的(de)，于測(ce)量硅晶塊、晶片電阻(zu)率及擴散層、外延層、ITO導(dao)電箔膜、導(dao)電橡膠等材(cai)料方塊電阻(zu)的(de)小型(xing)儀器(qi)。

SDY-4型(xing)四探針測試(shi)儀(yi)是根據單晶(jing)硅物理測試(shi)方(fang)法國家標(biao)準并(bing)參考美國A.S.T.M標(biao)準設計的半導體(ti)材料電阻率及方(fang)塊電阻(薄層電阻)測試(shi)儀(yi)器.

可(ke)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦(nao)(nao)使用(yong)(yong)也可(ke)以不連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦(nao)(nao)使用(yong)(yong)，連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦(nao)(nao)使用(yong)(yong)帶自(zi)動測量功能，自(zi)動選(xuan)擇(ze)適合樣(yang)品測試(shi)電(dian)(dian)流量程； 高速(su)并口(kou)通訊接(jie)(jie)口(kou)，連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)電(dian)(dian)腦(nao)(nao)使用(yong)(yong)時(shi)采集數據到電(dian)(dian)腦(nao)(nao)的時(shi)間只需要1.5秒；

恒流源電(dian)流量(liang)程分為(wei)1µA、10µA、100µA、1mA、10mA、100mA六檔(dang)；可連接(jie)(jie)電(dian)腦(nao)(nao)(nao)使(shi)(shi)用也可以不連接(jie)(jie)電(dian)腦(nao)(nao)(nao)使(shi)(shi)用，連接(jie)(jie)電(dian)腦(nao)(nao)(nao)使(shi)(shi)用帶自動測(ce)量(liang)功能，自動選擇適合樣品測(ce)試電(dian)流量(liang)程；高速并口通(tong)訊接(jie)(jie)口，連接(jie)(jie)電(dian)腦(nao)(nao)(nao)使(shi)(shi)用時(shi)(shi)采集(ji)數(shu)據到(dao)電(dian)腦(nao)(nao)(nao)的時(shi)(shi)間只需要1.5秒（在0.1mA、1mA、10mA、100mA量(liang)程檔(dang)時(shi)(shi)）；

TH2512/TH2512A/TH2512B直(zhi)流(liu)低電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)測試(shi)儀是智(zhi)能(neng)化(hua)、寬范圍、精密的直(zhi)流(liu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)測試(shi)儀器(qi)，適用(yong)于變壓器(qi)及電(dian)(dian)(dian)感線圈銅阻(zu)(zu)、繼電(dian)(dian)(dian)器(qi)接(jie)觸(chu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)、開關、接(jie)插件(jian)接(jie)觸(chu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)、導(dao)線電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)、元件(jian)焊點(dian)接(jie)觸(chu)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)、印制板(ban)線條及焊孔電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)、金屬探傷等。應用(yong)于生(sheng)產線，可使用(yong)HANDLER接(jie)口(kou)及GPIB接(jie)口(kou)（選件(jian)）輸出(chu)良品(pin)/不(bu)良品(pin)信(xin)號，以提高(gao)生(sheng)產線自動化(hua)測試(shi)能(neng)力。